MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI7216DN-T1-E3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-7922
Nº ref. fabric.:
SI7216DN-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPack

Serie

SI7216DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

20.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El Vishay SI7216DN es un MOSFET de canal N doble que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 40V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Dispone de encapsulado PAK 1212-8 de alimentación. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,032ohms a 10VGS y 0,039ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 6A A.

MOSFET de potencia Trench FET

Encapsulado Power PAK de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07 mm

100 % Rg y UIS probados

Conforme a la directiva RoHS 2002/95/CE

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