MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI7997DP-T1-GE3, VDSS -30 V, ID -60 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-7902
Nº ref. fabric.:
SI7997DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

SI7997DP

Encapsulado

PowerPack

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Tensión directa Vf

-1.2V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.25mm

Anchura

5.26 mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de Vishay es un encapsulado POWERPAK-SO-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 46W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• PWM optimizado

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Interruptores adaptadores

• Gestión de la batería

• Interruptores de carga

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