MOSFET Vishay, N-Canal SI7956DP-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

Código RS:: 180-7886
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, N-Canal SI7956DP-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Código RS:: 180-7886
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	SI7956DP
	Encapsulado	PowerPack
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Anchura	5.26mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.12mm
	Longitud	6.25mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie SI7956DP
	Encapsulado PowerPack
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Anchura 5.26mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.12mm
	Longitud 6.25mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET serie SI7956DP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 150 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,1 A - SI7956DP-T1-GE3

Este MOSFET es un transistor de canal N doble en un encapsulado PowerPack de montaje en superficie diseñado para tareas de conmutación y control de alta tensión. Funciona como un dispositivo de modo de mejora diseñado para su uso donde se requiere una conmutación de alimentación compacta montada en placa. El componente admite corrientes continuas moderadas y es adecuado para aplicaciones que requieren resistencia en un amplio rango de temperatura ambiente.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 150 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) máxima de 0,1 Ω reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga sostenidas
• La carga de puerta típica de 17 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La disipación de potencia máxima de 3,5 W gestiona la carga térmica en los circuitos
• El rango de funcionamiento de -50 °C a 150 °C mantiene el rendimiento en condiciones extremas

Aplicaciones

• Adecuado para etapas de medio puente de controlador de motor en placas compactas
• Ideal para conmutación de potencia de alta tensión en control industrial
• Se utiliza para fases de convertidor dc-dc que requieren transistores dobles
• Se puede utilizar para conmutación de lado bajo en sistemas de gestión de baterías
• Se utiliza con controladores de puerta donde la carga de puerta moderada es aceptable

¿Qué número de contactos y tipo de encapsulado utiliza para el diseño de la placa de circuito impreso?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPack de 8 contactos adecuado para diseños de placa densos y conducción térmica a través del cuerpo del encapsulado.

¿Cómo se comporta el dispositivo térmicamente bajo carga?

El dispositivo tiene una disipación de potencia nominal máxima de 3,5 W y puede funcionar hasta 150 °C, por lo que la gestión térmica, como el área de cobre o el disipador térmico, debe ser dimensionada para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites.

¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observarse durante el diseño del accionamiento?

La tensión máxima de puerta a fuente es de 20 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben permanecer dentro de este umbral para evitar daños en el dispositivo.

¿Hay alguna restricción en la configuración del transistor para el diseño del circuito?

El componente contiene dos transistores de canal N en una configuración doble, lo que permite disposiciones de conmutación complementarias o funcionamiento en paralelo en función del esquema.