MOSFET Vishay SI7956DP-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 150V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 105mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3,5W mW y una corriente de drenaje continua DE 4,1a A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• MOSFET doble para ahorrar espacio
• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• Baja resistencia de conexión en el nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

Convertidores de medio puente y de avance de •
• Interruptores de lado primario de alta eficiencia

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado