MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

Código RS:: 180-7324
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Código RS:: 180-7324
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	PowerPack
	Serie	SI7956DP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Longitud	6.25mm
	Anchura	5.26 mm
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado PowerPack
	Serie SI7956DP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Longitud 6.25mm
	Anchura 5.26 mm
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 150V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 105mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3,5W mW y una corriente de drenaje continua DE 4,1a A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• MOSFET doble para ahorrar espacio

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• Baja resistencia de conexión en el nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

Convertidores de medio puente y de avance de •

• Interruptores de lado primario de alta eficiencia

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado