MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI7956DP-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

Código RS:: 180-7324
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI7956DP-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Código RS:: 180-7324
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	SI7956DP
	Encapsulado	PowerPack
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	3.5W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Longitud	6.25mm
	Altura	1.12mm
	Anchura	5.26mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie SI7956DP
	Encapsulado PowerPack
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 3.5W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Longitud 6.25mm
	Altura 1.12mm
	Anchura 5.26mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET serie SI7956DP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 150 V, corriente de drenaje continua de 4,1 A - SI7956DP-T1-GE3

Este MOSFET de canal N doble es un dispositivo de conmutación de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de potencia de alta tensión en sistemas industriales y electrónicos. Proporciona conducción controlada para tareas de conmutación de carga y conversión de potencia, funciona en un amplio rango ambiental y está diseñado para integración a nivel de placa donde se requieren soluciones de transistor doble y compactas.

Características y ventajas:

• La tolerancia de drenaje de 150 V permite capacidades de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga moderadas • La Rds(on) de 0,1 Ω minimiza las pérdidas de conducción para mejorar la eficiencia • La carga de puerta típica de 17 nC permite un comportamiento de conmutación predecible • La disipación de potencia de 3,5 W gestiona la carga térmica en conjuntos compactos

Aplicaciones

• Apto para etapas de convertidor dc-dc en equipos de automatización • Ideal para circuitos de medio puente de controlador de motor en paneles de control • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado en electrónica industrial • Se puede utilizar para interruptores de distribución de potencia en PCB compactos

¿Cuáles son las tensiones de puerta y drenaje permitidas para un funcionamiento seguro?

La puerta se puede accionar hasta 20 V y el dispositivo resiste tensiones de fuente de drenaje de hasta 150 V.

¿Qué extremos térmicos puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?

Está clasificado para uso continuo desde -50 °C hasta una temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.

¿Cuántos contactos y qué tipo de encapsulado se deben esperar para el diseño de la placa de circuito impreso?

El componente se suministra como un dispositivo de montaje en superficie PowerPack de 8 contactos adecuado para patrones de tierra estándar.

¿Cómo afecta la configuración doble a la implementación del circuito?

Dos transistores se suministran en un único encapsulado, lo que permite disposiciones de interruptor de pares compactos y enrutamiento de placa simplificado.