MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

Código RS:: 180-7324
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 150 V, ID 4.1 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Código RS:: 180-7324
Nº ref. fabric.:: SI7956DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	PowerPack
	Serie	SI7956DP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.12mm
	Longitud	6.25mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado PowerPack
	Serie SI7956DP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.12mm
	Longitud 6.25mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET serie SI7956DP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 150 V, corriente de drenaje continua de 4,1 A - SI7956DP-T1-GE3

Este MOSFET de canal N doble es un dispositivo de conmutación de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de potencia de alta tensión en sistemas industriales y electrónicos. Proporciona conducción controlada para tareas de conmutación de carga y conversión de potencia, funciona en un amplio rango ambiental y está diseñado para integración a nivel de placa donde se requieren soluciones de transistor doble y compactas.

Características y ventajas:

• La tolerancia de drenaje de 150 V permite capacidades de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga moderadas • La Rds(on) de 0,1 Ω minimiza las pérdidas de conducción para mejorar la eficiencia • La carga de puerta típica de 17 nC permite un comportamiento de conmutación predecible • La disipación de potencia de 3,5 W gestiona la carga térmica en conjuntos compactos

Aplicaciones

• Apto para etapas de convertidor dc-dc en equipos de automatización • Ideal para circuitos de medio puente de controlador de motor en paneles de control • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado en electrónica industrial • Se puede utilizar para interruptores de distribución de potencia en PCB compactos

¿Cuáles son las tensiones de puerta y drenaje permitidas para un funcionamiento seguro?

La puerta se puede accionar hasta 20 V y el dispositivo resiste tensiones de fuente de drenaje de hasta 150 V.

¿Qué extremos térmicos puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?

Está clasificado para uso continuo desde -50 °C hasta una temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.

¿Cuántos contactos y qué tipo de encapsulado se deben esperar para el diseño de la placa de circuito impreso?

El componente se suministra como un dispositivo de montaje en superficie PowerPack de 8 contactos adecuado para patrones de tierra estándar.

¿Cómo afecta la configuración doble a la implementación del circuito?

Dos transistores se suministran en un único encapsulado, lo que permite disposiciones de interruptor de pares compactos y enrutamiento de placa simplificado.