MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS -30 V, ID -60 A, PowerPack, Mejora de 8 pines, config. Doble
- Código RS:
- 180-7325
- Nº ref. fabric.:
- SI7997DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 180-7325
- Nº ref. fabric.:
- SI7997DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | PowerPack | |
| Serie | SI7997DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado PowerPack | ||
Serie SI7997DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado POWERPAK-SO-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 46W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• PWM optimizado
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Gestión de la batería
• Interruptores de carga
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