MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay SI2367DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
812-3136
Nº ref. fabric.:
SI2367DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2367DS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.066Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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