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    MOSFET Vishay SI2309CDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1.2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

    340 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).
    Unidades

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

    0,404 €

    (exc. IVA)

    0,489 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    10 +0,404 €4,04 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    710-3250
    Nº ref. fabric.:
    SI2309CDS-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay

    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalP
    Corriente Máxima Continua de Drenaje1.2 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
    Tipo de EncapsuladoSOT-23
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente345 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima1V
    Disipación de Potencia Máxima1000 mW
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Carga Típica de Puerta @ Vgs2,7 nC a 4,5 V
    Ancho1.4mm
    Número de Elementos por Chip1
    Longitud3.04mm
    Material del transistorSi
    Altura1.02mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

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