- Código RS:
- 710-3250
- Nº ref. fabric.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
340 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,404 €
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0,489 €
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Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
10 + | 0,404 € | 4,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 710-3250
- Nº ref. fabric.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1.2 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 345 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 1000 mW |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 2,7 nC a 4,5 V |
Ancho | 1.4mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 3.04mm |
Material del transistor | Si |
Altura | 1.02mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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