MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2309CDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
710-3250
Nº ref. fabric.:
SI2309CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2309CDS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

345mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.7nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.02mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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