MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 919-0262
- Nº ref. fabric.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 919-0262
- Nº ref. fabric.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | Si2309CDS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 345mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie Si2309CDS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 345mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.7nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 1.4mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie Si2309CDS de Vishay, tensión de fuente de drenaje de -60 V, corriente de drenaje continua de 1,2 A - SI2309CDS-T1-GE3
Este MOSFET de canal p es un transistor de montaje en superficie diseñado para tareas de conmutación y control en conjuntos electrónicos compactos. Funciona como un dispositivo de modo de mejora adecuado para circuitos de corriente baja a media, ofreciendo un equilibrio de manejo de tensión y resistencia térmica para aplicaciones industriales.
Características y ventajas:
• Vds máximo de -60 V para capacidad de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 1,2 A para un manejo de carga moderado • Rds(on) de 345 mΩ para pérdidas de conducción predecibles • Carga de puerta típica de 2,7 nC para un control de puerta eficiente • Disipación de potencia de 1,7 W que admite la planificación del presupuesto térmico • Rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C para entornos de gran temperatura
Aplicaciones
• Apto para conmutación de carga en módulos de control de automatización • Ideal para circuitos de protección contra polaridad inversa de carril de alimentación • Se utiliza con placas de gestión de baterías y distribución de potencia • Puede utilizarse para etapas de potencia de cambio de nivel y señal pequeña
¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para los diseños de placas compactas?
Se suministra en un encapsulado SOT‐23 configurado para montaje en superficie de tres contactos, lo que facilita un montaje de PCB denso.
¿Cómo maneja el dispositivo los requisitos de accionamiento de puerta?
La puerta se puede accionar en un rango de ±20 V con respecto a la fuente, lo que permite la compatibilidad con tensiones de control comunes al tiempo que limita la tensión de puerta.
¿Qué consideraciones térmicas debo admitir en el diseño?
Con una disipación de potencia máxima de 1,7 W, el cobre de la placa y los conductos térmicos deben ser dimensionados para gestionar la temperatura de unión bajo carga dentro del rango especificado de -55 °C a 150 °C.
¿Hay que tener en cuenta alguna restricción ambiental o material?
El componente cumple los requisitos RoHS, lo que indica que se controlan sustancias peligrosas restringidas en su fabricación.
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