MOSFET Vishay SI2309CDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-0262
Nº ref. fabric.:: SI2309CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2309CDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

15000 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,192 €

(exc. IVA)

0,232 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,192 €	576,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-0262
Nº ref. fabric.:: SI2309CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	345 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2,7 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C