MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 146-1425
Nº ref. fabric.:: SI2303CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

9000 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,166 €

(exc. IVA)

0,201 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,166 €	498,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 146-1425
Nº ref. fabric.:: SI2303CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2 nC a 4,5 V, 4 nC a 10 V
Longitud	3.04mm
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.02mm

Código RS:: 146-1425
Nº ref. fabric.:: SI2303CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

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