MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2369DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7798
- Nº ref. fabric.:
- SI2369DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,302 € | 7,55 € |
| 250 - 600 | 0,297 € | 7,43 € |
| 625 - 1225 | 0,226 € | 5,65 € |
| 1250 - 2475 | 0,182 € | 4,55 € |
| 2500 + | 0,152 € | 3,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7798
- Nº ref. fabric.:
- SI2369DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 29mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 30V V. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene una corriente de drenaje continua de 7,6A A y una disipación de potencia máxima de 2,5W W. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Convertidor CC/CC
• Para la informática móvil
• Interruptor de carga
• Interruptor del adaptador de portátil
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
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