MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2323DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
812-3110
Nº ref. fabric.:
SI2323DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

Si2323DDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.79V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.02mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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