MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2333DDS-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9222
Número de artículo Distrelec:
304-02-277
Nº ref. fabric.:
SI2333DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Serie

Si2333DDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

19Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.02mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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