MOSFET Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3139
Nº ref. fabric.:: SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

8800 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

0,285 €

(exc. IVA)

0,345 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
50 - 450	0,285 €	14,25 €
500 - 1200	0,199 €	9,95 €
1250 - 2450	0,157 €	7,85 €
2500 - 4950	0,142 €	7,10 €
5000 +	0,114 €	5,70 €
*precio indicativo

Código RS:: 812-3139
Nº ref. fabric.:: SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	67,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	23,8 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	3.04mm
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50 °C
Altura	1.02mm

Código RS:: 812-3139
Nº ref. fabric.:: SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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