MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 812-3139
- Nº ref. fabric.:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 500 - 1200 | 0,135 € | 6,75 € |
| 1250 - 2450 | 0,106 € | 5,30 € |
| 2500 - 4950 | 0,097 € | 4,85 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3139
- Nº ref. fabric.:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0675Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0675Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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