MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 5.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
165-6934
Nº ref. fabric.:
SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0675Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.