MOSFET Vishay SI2374DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 152-6360
Nº ref. fabric.:: SI2374DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2374DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

2200 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

0,285 €

(exc. IVA)

0,345 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
50 - 200	0,285 €	14,25 €
250 - 450	0,20 €	10,00 €
500 - 1200	0,177 €	8,85 €
1250 - 2450	0,129 €	6,45 €
2500 +	0,10 €	5,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 152-6360
Nº ref. fabric.:: SI2374DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El semiconductor Vishay SI2374DS-T1-GE3 es un 5 de 3 contactos, 20 V. MOSFET de canal N de montaje superficial de 9 A que se utiliza generalmente para interruptor de carga y gestión de potencia.

Libre de halógenos conforme a la definición IEC 61249-2-21
MOSFET de potencia TrenchFET®
Probado 100 % Rg

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	41 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13,4 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	3.04mm
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.02mm

MOSFET Vishay SI2374DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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