MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 68mohm A con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 12V V y una tensión de fuente de drenaje de 30V V. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 2,5V V y 4,5V V respectivamente. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,6A A y una disipación de potencia máxima de 1,7W W. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Convertidor DC-DC para dispositivos portátiles
• Interruptor de carga

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado