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    MOSFET Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

    Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 30/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

    0,356 €

    (exc. IVA)

    0,431 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    50 - 500,356 €17,80 €
    100 - 4500,302 €15,10 €
    500 - 9500,267 €13,35 €
    1000 +0,231 €11,55 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    178-3853
    Nº ref. fabric.:
    Si2319DDS-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix

    Estado RoHS: No aplica

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalP
    Corriente Máxima Continua de Drenaje3,6 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
    Tipo de EncapsuladoSOT-23
    SerieTrenchFET
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente100 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.5V
    Tensión de umbral de puerta mínima1V
    Disipación de Potencia Máxima1,7 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente±20 V
    Ancho1.4mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs12,5 nC a 10 V
    Longitud3.04mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Número de Elementos por Chip1
    Material del transistorSi
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Tensión de diodo directa1.2V
    Altura1.02mm

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