MOSFET, N-Canal Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-6932
Nº ref. fabric.:
SI2304DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si2304DDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

800mV

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4mm

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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