MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 180-7267
Nº ref. fabric.:: SI2300DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines

5400 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,143 €

(exc. IVA)

0,173 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,143 €	429,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7267
Nº ref. fabric.:: SI2300DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 68mohm A con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 12V V y una tensión de fuente de drenaje de 30V V. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 2,5V V y 4,5V V respectivamente. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,6A A y una disipación de potencia máxima de 1,7W W. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Convertidor DC-DC para dispositivos portátiles
• Interruptor de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,068 O
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Número de Elementos por Chip	1