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    MOSFET Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

    100 Disponible para entrega en 24/48 horas
    250 Disponible para entrega en 24/48 horas

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

    0,264 €

    (exc. IVA)

    0,319 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    50 - 4500,264 €13,20 €
    500 - 12000,185 €9,25 €
    1250 - 24500,145 €7,25 €
    2500 - 49500,132 €6,60 €
    5000 +0,119 €5,95 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    812-3117
    Nº ref. fabric.:
    SI2304DDS-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje3,6 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    Tipo de EncapsuladoSOT-23
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente75 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima1.2V
    Disipación de Potencia Máxima1,7 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Material del transistorSi
    Longitud3.04mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs4,5 nC a 10 V
    Ancho1.4mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Número de Elementos por Chip1
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Altura1.02mm

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