MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 812-3117
- Nº ref. fabric.:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
15,25 €
(exc. IVA)
18,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 200 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 2650 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,305 € | 15,25 € |
| 500 - 1200 | 0,214 € | 10,70 € |
| 1250 - 2450 | 0,168 € | 8,40 € |
| 2500 - 4950 | 0,152 € | 7,60 € |
| 5000 + | 0,137 € | 6,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3117
- Nº ref. fabric.:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | Si2304DDS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie Si2304DDS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines