- Código RS:
- 812-3117
- Nº ref. fabric.:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
100 Disponible para entrega en 24/48 horas
250 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
0,264 €
(exc. IVA)
0,319 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
50 - 450 | 0,264 € | 13,20 € |
500 - 1200 | 0,185 € | 9,25 € |
1250 - 2450 | 0,145 € | 7,25 € |
2500 - 4950 | 0,132 € | 6,60 € |
5000 + | 0,119 € | 5,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3117
- Nº ref. fabric.:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,6 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 75 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
Disipación de Potencia Máxima | 1,7 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Material del transistor | Si |
Longitud | 3.04mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 4,5 nC a 10 V |
Ancho | 1.4mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.02mm |
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