MOSFET Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3117
Nº ref. fabric.:: SI2304DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

100 Disponible para entrega en 24/48 horas

250 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)

0,264 €

(exc. IVA)

0,319 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
50 - 450	0,264 €	13,20 €
500 - 1200	0,185 €	9,25 €
1250 - 2450	0,145 €	7,25 €
2500 - 4950	0,132 €	6,60 €
5000 +	0,119 €	5,95 €

*precio indicativo

Código RS:: 812-3117
Nº ref. fabric.:: SI2304DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	75 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Longitud	3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.02mm