MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
812-3132
Nº ref. fabric.:
SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2366DS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Tensión directa Vf

0.85V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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