MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI2318HDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
735-214
Nº ref. fabric.:
SI2318HDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.051Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

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