MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI2318CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9036
Número de artículo Distrelec:
304-02-276
Nº ref. fabric.:
SI2318CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

Si2318CDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

51mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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