MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI2392ADS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 3.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 180-7811
Nº ref. fabric.:: SI2392ADS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI2392ADS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 3.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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500 - 980	0,266 €	5,32 €
1000 - 1980	0,246 €	4,92 €
2000 +	0,192 €	3,84 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7811
Nº ref. fabric.:: SI2392ADS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	189mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.6W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.12mm
	Anchura	2.64 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado SOT-23
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 189mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.6W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.12mm
	Anchura 2.64 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 126mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 100V V. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,1A A y una disipación de potencia máxima de 2,5W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Convertidores de impulso

• convertidores dc/dc

• Retroiluminación LED en televisores LCD

• Interruptor de carga

• Administración de energía para la informática móvil

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado