MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2377EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
812-3145
Nº ref. fabric.:
SI2377EDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2377EDS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

165mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Altura

1.02mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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