MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2399DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7829
- Nº ref. fabric.:
- SI2399DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 200 - 480 | 0,418 € | 8,36 € |
| 500 - 980 | 0,315 € | 6,30 € |
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- Código RS:
- 180-7829
- Nº ref. fabric.:
- SI2399DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 67mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 12V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 34mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2,5W mW y una corriente de drenaje continua de 6A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 2,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• convertidores dc/dc
• Interruptor de carga
• Interruptor PA
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
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