MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2337DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 2.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
812-3123
Nº ref. fabric.:
SI2337DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.303Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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