MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2319CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
787-9042
Nº ref. fabric.:
SI2319CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

Si2319CDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

108mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

CARACTERÍSTICAS

• libre de halógeno Según IEC 61249-2-21

Definición

• MOSFET de potencia TrenchFET®

• 100% Rg Probado

• Cumple con la directiva 2002/95/CE de RoHS

APLICACIONES

• Interruptor De Carga

• Conversor de CC/CC

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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