MOSFET Vishay SI2319CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 787-9042
- Nº ref. fabric.:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
50 Disponible para entrega en 24/48 horas
60 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,189 €
(exc. IVA)
0,229 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 + | 0,189 € | 1,89 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 787-9042
- Nº ref. fabric.:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
CARACTERÍSTICAS
• libre de halógeno Según IEC 61249-2-21
Definición
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• 100% Rg Probado
• Cumple con la directiva 2002/95/CE de RoHS
APLICACIONES
• Interruptor De Carga
• Conversor de CC/CC
• libre de halógeno Según IEC 61249-2-21
Definición
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• 100% Rg Probado
• Cumple con la directiva 2002/95/CE de RoHS
APLICACIONES
• Interruptor De Carga
• Conversor de CC/CC
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 108 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,5 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 1.4mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 13,6 nC a 10 V |
| Longitud | 3.04mm |
| Altura | 1.02mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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