MOSFET, Canal P-Canal Vishay SI2301HDS-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -3.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
735-212
Nº ref. fabric.:
SI2301HDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.142Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

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