MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 8 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
919-0269
Nº ref. fabric.:
SI2305CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

8V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2305CDS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

960mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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