MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2347DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 180-7778
Nº ref. fabric.:: SI2347DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2347DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
50 - 450	0,188 €	9,40 €
500 - 1200	0,132 €	6,60 €
1250 - 2450	0,122 €	6,10 €
2500 - 4950	0,113 €	5,65 €
5000 +	0,107 €	5,35 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7778
Nº ref. fabric.:: SI2347DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	42mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14.5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.12mm
	Anchura	2.64 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.12mm
	Anchura 2.64 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 42mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una potencia nominal máxima de 1,7W W y corriente de drenaje continuo de 5A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Convertidor CC/CC

• Interruptor de carga

• Interruptor del adaptador de portátil

• Gestión de alimentación

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado