MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2393DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6.1 A, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7349
- Nº ref. fabric.:
- SI2393DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
7,50 €
(exc. IVA)
9,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4825 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,30 € | 7,50 € |
| 50 - 75 | 0,294 € | 7,35 € |
| 100 - 225 | 0,188 € | 4,70 € |
| 250 - 975 | 0,184 € | 4,60 € |
| 1000 + | 0,135 € | 3,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7349
- Nº ref. fabric.:
- SI2393DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de canal P de 30 V (D-S) de 30 V de 6,1 A (Ta), 7,5 A (Tc) de 1,3 W (Ta), 2,5 W (Tc) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con encapsulado de tipo SOT-23-3 (TO-236).
MOSFET de potencia de canal P TrenchFET gen IV
Probado al 100 % Rg y UIS
aplicaciones
Interruptor de carga
Protección de circuito
Control de accionamiento de motor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -8 V SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines