MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2329DS-T1-GE3, VDSS -8 V, ID -6 A, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7347
Nº ref. fabric.:
SI2329DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-8V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2329DS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.12Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

El canal P de Vishay Semiconductor de 8 V, 6 A (Tc) 2,5 W (Tc) de montaje superficial SOT-23-3 (TO-236) sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.

MOSFET de potencia TrenchFET

100 % Rg probado

Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC

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