MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si2387DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2814
Nº ref. fabric.:
Si2387DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal P de generación IV TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de carga, protección de circuitos y control de accionamiento de motor.

100 % Rg y UIS probados

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