MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2303CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
710-3241
Nº ref. fabric.:
SI2303CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.33Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Altura

1.02mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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