MOSFET Vishay SI2399DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 12V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 34mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2,5W mW y una corriente de drenaje continua de 6A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 2,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Convertidores dc-dc
• Interruptor de carga
• Interruptor PA

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado