MOSFET Vishay SI2369DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,6 A, SOT-23 de 3 pines

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 29mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 30V V. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene una corriente de drenaje continua de 7,6A A y una disipación de potencia máxima de 2,5W W. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Convertidor CC/CC
• Para la informática móvil
• Interruptor de carga
• Interruptor del adaptador de portátil

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado