MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 3.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7270
- Nº ref. fabric.:
- SI2307CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
438,00 €
(exc. IVA)
531,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,146 € | 438,00 € |
| 6000 + | 0,139 € | 417,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7270
- Nº ref. fabric.:
- SI2307CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 138mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.14W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 138mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.14W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal P doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 88mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,5A A y una potencia nominal máxima de 1,8W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 8 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOT-23 de 3 pines