Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si2338DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 812-3126
Nº ref. fabric.:: Si2338DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si2338DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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20 - 180	0,44 €	8,80 €
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Código RS:: 812-3126
Nº ref. fabric.:: Si2338DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	Si2338DS
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.033Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Anchura	1.4 mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie Si2338DS
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Anchura 1.4 mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si2338DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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