MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI3476DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 4.6 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines

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Código RS:
152-6369
Nº ref. fabric.:
SI3476DV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si3476DV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.093Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Altura

1mm

Anchura

1.7 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia TrenchFET®

Clasificación de material:

APLICACIONES

Interruptor de carga para dispositivos portátiles

Interruptor con retroiluminación LED

Convertidor dc/dc

Convertidor de aumento

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