MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-6910
Nº ref. fabric.:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

3560 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,139 €

(exc. IVA)

0,168 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,139 €	417,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6910
Nº ref. fabric.:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si2366DS, N-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	42 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	2,1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	3.04mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,4 nC a 10 V
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor