MOSFET, N-Canal Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6910
- Nº ref. fabric.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-6910
- Nº ref. fabric.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | Si2366DS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 850mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.02mm | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie Si2366DS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 850mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.02mm | ||
Anchura 1.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie Si2366DS de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 5,8 A - SI2366DS-T1-GE3
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para conmutación de montaje en superficie en circuitos electrónicos de baja tensión. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para funciones de gestión de potencia en las que se requiere una conducción eficiente y una conmutación moderada. El encapsulado es un factor de forma SOT-23 común para usar en conjuntos densamente poblados.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje máxima de 30 V que permite la conmutación de alimentación de baja tensión
• Corriente de drenaje continua de 5,8 A para un manejo de corriente sostenido
• Rds(on) bajos de 42 mΩ que reducen las pérdidas por conducción
• Tensión directa de 0,85 V que admite condiciones de accionamiento eficientes
• Carga de puerta típica de 6,4 nC que permite energía de conmutación controlada
• Disipación de potencia de 2,1 W para aplicaciones con limitación térmica
• Corriente de drenaje continua de 5,8 A para un manejo de corriente sostenido
• Rds(on) bajos de 42 mΩ que reducen las pérdidas por conducción
• Tensión directa de 0,85 V que admite condiciones de accionamiento eficientes
• Carga de puerta típica de 6,4 nC que permite energía de conmutación controlada
• Disipación de potencia de 2,1 W para aplicaciones con limitación térmica
Aplicaciones
• Adecuado para distribución de potencia USB y conmutación de carga
• Ideal para el uso de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías y carga
• Se puede utilizar para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Útil en la protección de carriles de alimentación de electrónica de consumo
• Ideal para el uso de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías y carga
• Se puede utilizar para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Útil en la protección de carriles de alimentación de electrónica de consumo
¿Qué encapsulado debo esperar para el montaje automatizado?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23 compatible con procesos de recogida y colocación y reflujo estándar.
¿Qué tan bien tolera entornos térmicos hostiles?
Valor nominal de funcionamiento de –55 a 150 °C, admite una amplia gama de temperaturas ambiente y elevadas de unión.
¿Qué amplitud de accionamiento de puerta está permitida?
El dispositivo admite hasta ±20 V entre la puerta y la fuente, lo que permite una amplia gama de tensiones de accionamiento dentro de ese límite.
¿Cuántos contactos están disponibles para el enrutamiento de PCB?
Utiliza una configuración de tres contactos típica de MOSFET de señal pequeña, lo que simplifica el diseño de huella y el enrutamiento.
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