MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

459,00 €

(exc. IVA)

555,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 11 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,153 €459,00 €

*precio indicativo

Código RS:
165-6910
Nº ref. fabric.:
SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si2366DS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.85V

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados