MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6910
- Nº ref. fabric.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-6910
- Nº ref. fabric.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | Si2366DS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie Si2366DS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie Si2366DS de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 5,8 A - SI2366DS-T1-GE3
Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de canal N de baja tensión diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un rango de tensión moderado y admite temperaturas extremas, lo que lo convierte en adecuado para diseños densos de nivel de placa donde se requiere un tamaño pequeño y un comportamiento de conmutación controlado.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 42 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción durante la conmutación
• La corriente de drenaje continua de 5,8 A admite corrientes de carga moderadas
• La calificación de drenaje-fuente de 30 V permite carriles de alimentación de baja tensión
• La carga de puerta típica de 6,4 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia de 2,1 W permite una carga térmica sostenida
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C soporta entornos elevados
• La corriente de drenaje continua de 5,8 A admite corrientes de carga moderadas
• La calificación de drenaje-fuente de 30 V permite carriles de alimentación de baja tensión
• La carga de puerta típica de 6,4 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia de 2,1 W permite una carga térmica sostenida
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C soporta entornos elevados
Aplicaciones
• Apto para convertidores de bajada dc en equipos de automatización
• Ideal para conmutación de carga en módulos de control e interfaz
• Se utiliza para etapas de controlador de motor en sistemas electromecánicos pequeños
• Puede utilizarse para la protección de la batería y la gestión de la ruta de alimentación
• Se utiliza con fuentes de alimentación de consumo compactas que requieren piezas de montaje en superficie
• Ideal para conmutación de carga en módulos de control e interfaz
• Se utiliza para etapas de controlador de motor en sistemas electromecánicos pequeños
• Puede utilizarse para la protección de la batería y la gestión de la ruta de alimentación
• Se utiliza con fuentes de alimentación de consumo compactas que requieren piezas de montaje en superficie
¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje en PCB?
Se suministra para colocación de montaje en superficie en un encapsulado de tres contactos compatible con huellas SOT-23 estándar.
¿Qué resistencia a la tensión de puerta deben esperar los diseñadores?
El dispositivo tolera tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V, por lo que el accionamiento de puerta debe permanecer dentro de ese límite.
¿En qué rango de temperatura ambiente puede funcionar?
Está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C de temperatura de unión para amplios márgenes térmicos.
¿Qué consideraciones mecánicas hay sobre el tamaño del encapsulado para el diseño?
El encapsulado mide aproximadamente 3, 04 mm de longitud, 1, 4 mm de anchura y 1, 02 mm de altura para planificar el tamaño y el espacio libre.
¿Hay características ambientales o normativas que deben tenerse en cuenta?
El componente cumple los requisitos RoHS para reducir las sustancias peligrosas.
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