MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal Vishay SI5513CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, ChipFET de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7373
Nº ref. fabric.:
SI5513CDC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

ChipFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La matriz mosfet de canal N y P de 20 V, 4 A, 3,7 A y 3,1 W de Vishay Semiconductor chipFET 1206-8 de montaje superficial sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.

Mosfets de potencia TrenchFET

100 % Rg probado

Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC

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