MOSFET Vishay SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK ChipFET

Código RS:: 256-7374
Nº ref. fabric.:: SI5517DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK ChipFET

3000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,632 €

(exc. IVA)

0,765 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,632 €	1.896,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 256-7374
Nº ref. fabric.:: SI5517DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SI5517DU-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El mosfet de canal P Nand de 20 V (D-S) de montaje superficial de 6 A y 8,3 W de Vishay Semiconductor es un mosfet complementario para dispositivos portátiles, ideal para circuitos de bajada de potencia.

MOSFET de potencia TrenchFET
Área de huella pequeña
Baja resistencia de conexión
Perfil fino de 0,8 mm
100% Rg probado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK ChipFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial

Código RS:: 256-7374
Nº ref. fabric.:: SI5517DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet - SI5517DU-T1-GE3

MOSFET Vishay SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK ChipFET

Documentación Técnica

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