MOSFET, N-Canal Vishay SI5442DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 256-7365
Nº ref. fabric.:: SI5442DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SI5442DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Código RS:: 256-7365
Nº ref. fabric.:: SI5442DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	SI5442DU
	Encapsulado	ChipFET PowerPAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0135Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	16.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	31W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	850μm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie SI5442DU
	Encapsulado ChipFET PowerPAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0135Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 31W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 850μm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

MOSFET serie SI5442DU de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 25 A - SI5442DU-T1-GE3

Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N diseñado para funciones de gestión de potencia de alta corriente en conjuntos compactos de montaje en superficie. Funciona como un dispositivo de potencia de baja tensión adecuado para convertidores dc-dc y topologías de conmutación síncrona, funcionando en un amplio rango ambiental para entornos térmicos exigentes.

Características y ventajas:

• Resistencia de conexión muy baja de 0,0135 Ω, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Capacidad de drenaje continuo de 25 A compatible con carriles de alta corriente
• Resistencia de la fuente de drenaje a 20 V que permite etapas de potencia de baja tensión
• La tolerancia de puerta de hasta 8 V permite esquemas de accionamiento flexibles
• Carga de puerta total típica de 16,6 nC para un control de conmutación eficiente
• Disipación de potencia de 31 W que permite una carga térmica sostenida

Aplicaciones

• Adecuado para salidas de convertidor reductor síncrono
• Ideal para módulos de distribución de potencia de grado automovilístico
• Se utiliza para conmutar cargas de alta corriente en equipos industriales
• Se puede utilizar para etapas de alimentación de telecomunicaciones
• Apto para la regulación del punto de carga en placas compactas

¿Qué rango térmico puede tolerar el dispositivo en el despliegue?

Está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, adaptándose tanto a condiciones de arranque en frío como a altas temperaturas.

¿Cómo afecta la tensión directa a la eficiencia en sistemas de baja tensión?

La tensión directa típica de 1,2 V a través del diodo intrínseco reduce las pérdidas de tiempo muerto y contribuye a la eficiencia general del convertidor durante el funcionamiento síncrono.

¿Qué encapsulado y estilo de montaje se proporcionan para el montaje de placas?

El componente se suministra en un formato ChipFET PowerPAK de 8 contactos diseñado para montaje en superficie para permitir un diseño compacto y vías térmicas eficaces.

¿El producto cumple las directivas de restricción de materiales?

El componente cumple los requisitos RoHS, lo que limita determinadas sustancias peligrosas en la composición del dispositivo.