MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5442DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
256-7365
Nº ref. fabric.:
SI5442DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

ChipFET PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.85mm

Estándar de automoción

No

El canal N de Vishay Semiconductor de 20 V, 25 A (Tc) 3,1 W (Ta), 31 W (Tc) de montaje superficial. Sus aplicaciones son interruptores de carga, interruptores PA y para aplicaciones portátiles

son convertidores de dc, dc y punto de carga, gestión de potencia.

MOSFET de potencia TrenchFET

Área de huella pequeña

Baja resistencia de conexión

Perfil fino de 0,8 mm

100% Rg probado

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