MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 256-7364
Nº ref. fabric.:: SI5442DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Código RS:: 256-7364
Nº ref. fabric.:: SI5442DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	ChipFET PowerPAK
	Serie	SI5442DU
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0135Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	16.6nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	31W
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	0.85mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado ChipFET PowerPAK
	Serie SI5442DU
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0135Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.6nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 31W
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 0.85mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

MOSFET serie SI5442DU de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 25 A - SI5442DU-T1-GE3

Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N compacto diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Está diseñado para manejar una corriente continua significativa al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas, lo que lo convierte en adecuado para contextos de control industrial y conversión de potencia donde se requieren bajas pérdidas de conducción y conmutación rápida.

Características y ventajas:

• La capacidad de corriente continua de 25 A permite la conmutación de alta corriente
• La Rds(on) de 0,0135 Ω minimiza las pérdidas de conducción en las vías de alimentación
• La calificación de fuente de drenaje de 20 V admite carriles de alimentación de baja tensión
• La carga de puerta típica de 16,6 nC permite un control de conmutación eficiente
• La disipación de potencia de 31 W admite la gestión de carga térmica sostenida
• Vgs máximo de 8 V protege la puerta contra sobretensión durante el accionamiento

Aplicaciones

• Apto para etapas de potencia de accionamiento de motor en sistemas de automatización
• Ideal para convertidores reductores síncronos en fuentes de alimentación dc-dc
• Se utiliza para conmutar cargas de alta corriente en controles industriales
• Puede utilizarse para la gestión de energía en equipos alimentados por batería

¿Qué límites de funcionamiento térmico deben tenerse en cuenta durante el diseño?

El dispositivo está diseñado para funcionar de -55 °C a +150 °C, por lo que la gestión térmica debe garantizar que las temperaturas de unión permanezcan dentro de este rango en condiciones de potencia de pico.

¿Cuántos contactos y qué estilo de montaje requiere en una placa?

Se suministra en un encapsulado ChipFET PowerPAK de montaje en superficie de 8 contactos, por lo que la disposición de la almohadilla y los perfiles de soldadura deben coincidir con un tamaño SMD de 8 contactos.

¿Qué restricciones de accionamiento de puerta afectan a la selección de circuitos de accionamiento?

La puerta no debe accionarse más de un máximo de 8 V, por lo que los controladores de puerta y el cambio de nivel deben limitar Vgs dentro de ese umbral para evitar daños.

¿Cómo deben evaluar los diseñadores el rendimiento de conmutación para el uso de alta frecuencia?

Utilice el valor de carga de puerta típico de 16,6 nC en la tensión de puerta especificada para calcular la energía del controlador y las pérdidas de conmutación al determinar la eficiencia en las frecuencias de conmutación objetivo.