Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5418DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11.6 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 818-1318
Nº ref. fabric.:: SI5418DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5418DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11.6 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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100 - 180	0,718 €	14,36 €
200 - 480	0,586 €	11,72 €
500 - 980	0,572 €	11,44 €
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Código RS:: 818-1318
Nº ref. fabric.:: SI5418DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	11.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	Si5418DU
	Encapsulado	ChipFET PowerPAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	18.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	31W
	Tensión directa Vf	0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.98 mm
	Longitud	3.08mm
	Altura	0.85mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 11.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie Si5418DU
	Encapsulado ChipFET PowerPAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 31W
	Tensión directa Vf 0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.98 mm
	Longitud 3.08mm
	Altura 0.85mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5418DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11.6 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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