MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5418DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11.6 A, Mejora, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
818-1318
Nº ref. fabric.:
SI5418DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

ChipFET PowerPAK

Serie

Si5418DU

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

31W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.85mm

Longitud

3.08mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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