MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI5448DU-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 256-7367
- Nº ref. fabric.:
- SI5448DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,295 € | 7,38 € |
| 50 - 75 | 0,289 € | 7,23 € |
| 100 - 225 | 0,22 € | 5,50 € |
| 250 - 975 | 0,216 € | 5,40 € |
| 1000 + | 0,167 € | 4,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7367
- Nº ref. fabric.:
- SI5448DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | ChipFET PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado ChipFET PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El chipfet powerPAK simple de montaje en superficie de canal N Mosfet de Vishay Semiconductor.
MOSFET de potencia TrenchFET gen IV
Probado al 100 % Rg y UIS
Encapsulado chipFET powerPAK mejorado térmicamente
Área de huella compacta inferior a 6,09 mm2
Perfil fino de 0,8 mm
RDS(ON) un 56 % más bajo que la generación anterior
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