MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS42LDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11.3 A, PowerPAK

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7435
Nº ref. fabric.:
SISS42LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0149Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal N de 100 V (D-S) de Vishay Semiconductor para aplicaciones de valor de mérito (FOM) de RDS x Qg muy bajo rectificación síncrona, interruptor lateral primario, dc, convertidor dc, microinversor solar, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería e interruptor de carga, industrial.

MOSFET de potencia TrenchFET gen IV

RDS muy bajo x valor de mérito Qg (FOM)

Sintonizado para el RDS x Qoss FOM más bajo

Probado al 100 % Rg y UIS

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