MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 11.3 A, PowerPAK
- Código RS:
- 256-7434
- Nº ref. fabric.:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7434
- Nº ref. fabric.:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0149Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0149Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de canal N de 100 V (D-S) de Vishay Semiconductor para aplicaciones de valor de mérito (FOM) de RDS x Qg muy bajo rectificación síncrona, interruptor lateral primario, dc, convertidor dc, microinversor solar, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería e interruptor de carga, industrial.
MOSFET de potencia TrenchFET gen IV
RDS muy bajo x valor de mérito Qg (FOM)
Sintonizado para el RDS x Qoss FOM más bajo
Probado al 100 % Rg y UIS