MOSFET, N-Canal Vishay SI5936DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 256-7377
- Nº ref. fabric.:
- SI5936DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,214 € | 6,07 € |
| 50 - 95 | 1,088 € | 5,44 € |
| 100 - 245 | 0,85 € | 4,25 € |
| 250 - 995 | 0,828 € | 4,14 € |
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- Código RS:
- 256-7377
- Nº ref. fabric.:
- SI5936DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SI5936DU | |
| Encapsulado | ChipFET PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.04Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 850μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SI5936DU | ||
Encapsulado ChipFET PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.04Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 850μm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SI5936DU de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 6 A - SI5936DU-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de montaje en superficie diseñado para tareas de gestión de potencia en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango ambiente y está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación eficiente de baja tensión y un manejo térmico en espacios reducidos.
Características y ventajas:
• La clasificación de 30 V permite una robusta capacidad de conmutación de baja tensión
• La corriente continua de 6 A admite un suministro de potencia moderado
• La Rds(on) de 0,04 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3.5 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación máxima de 10,4 W soporta una carga térmica significativa
• La tolerancia de puerta de 20 V permite opciones flexibles de tensión de accionamiento
• La corriente continua de 6 A admite un suministro de potencia moderado
• La Rds(on) de 0,04 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3.5 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación máxima de 10,4 W soporta una carga térmica significativa
• La tolerancia de puerta de 20 V permite opciones flexibles de tensión de accionamiento
Aplicaciones
• Adecuado para el uso de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Ideal para la gestión de la batería y el control de la ruta de alimentación
• Se utiliza con etapas motor-driver para motores de baja tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de potencia compactos con limitaciones de altura
• Ideal para la gestión de la batería y el control de la ruta de alimentación
• Se utiliza con etapas motor-driver para motores de baja tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de potencia compactos con limitaciones de altura
¿Qué formato de encapsulado debo planificar en el diseño de la placa de circuito impreso?
El dispositivo llega en un estilo de montaje en superficie PowerPAK ChipFET, por lo que los diseños de almohadilla deben coincidir con un tamaño SMT de perfil bajo y permitir vias térmicas o vertidos de cobre para la propagación del calor.
¿Cómo afecta la temperatura a los límites de funcionamiento continuo?
El componente está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, pero se requiere gestión térmica para mantener la disipación de potencia dentro de los valores nominales a temperaturas elevadas.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta hay para el rendimiento de conmutación?
Espera demanda de carga de puerta moderada
la capacidad del controlador debe suministrar rápidamente la carga típica de 3,5 nC para reducir las pérdidas de conmutación al tiempo que controla dv/dt.
¿Es adecuado para aplicaciones de automoción?
No está diseñado conforme a los estándares de automoción, por lo que no debe utilizarse donde la certificación de automoción es obligatoria.
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